CP電位僅在很窄的電位帶上起保護作用，超出這個電位帶不是產(chǎn)生陽極溶解就是發(fā)生金屬應力侵蝕損傷(氫鼓泡)。海內(nèi)外的CP專家通過實驗和現(xiàn)場檢測提出極化電位的安全帶為：-850至-1150mv /CSE，其中-755至-788mv/CSE是應力侵蝕敏感段，海內(nèi)最新試驗發(fā)現(xiàn)：-630mv至-730mv;-680mv至-730mv也屬金屬應力侵蝕敏感段。負偏移電位大于1170mv/CSE時會給管面添堿，在有水介入的前提下，水被電解天生氫離子。因為管面客觀存在大量的微裂紋以及材料缺陷，氫離子首先浸入，分子化過程的應力結(jié)果，會使裂紋不斷增加深度和寬度，管道上泛起的應力侵蝕開裂通常是氫應力和管道載荷的拉應力共同作用的結(jié)果。因此管道上的電位應控制在極化電位的安全帶上，國標上提出的-1200mV，顯然是錯誤的，照抄國外東西，依據(jù)何在?因此最佳保護電位選應為：-850--1100mv/CSE.